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印制电路设计中的工艺缺陷
sexpjmic 发表于 2009-11-03 11:48:10
一、焊盘的重叠
1、焊盘(除表面贴焊盘外)的重叠，意味孔的重叠，在钻孔工序会因为在一处多次钻孔导致断钻头，导致孔的损伤。
2、多层板中两个孔重叠，如一个孔位为隔离盘，另一孔位为连接盘(花焊盘)，这样绘出底片后表现为隔离盘，造成的报废。
二、图形层的滥用
1、在一些图形层上做了一些无用的连线，本来是四层板却设计了五层以上的线路，使造成误解。
2、设计时图省事，以Protel软件为例对各层都有的线用Board层去画，又用Board层去划标注线，这样在进行光绘数据时，因为未选Board层，漏掉连线而断路，或者会因为选择Board层的标注线而短路，因此设计时保持图形层的完整和清晰。
3、违反常规性设计，如元件面设计在Bottom层，焊接面设计在Top，造成不便。
三、字符的乱放
1、字符盖焊盘SMD焊片，给印制板的通断测试及元件的焊接带来不便。
2、字符设计的太小，造成丝网印刷的困难，太大会使字符相互重叠，难以分辨。
四、单面焊盘孔径的设置
1、单面焊盘一般不钻孔，若钻孔需标注，其孔径应设计为零。如果设计了数值，这样在产生钻孔数据时，此位置就出现了孔的座标，而出现问题。
2、单面焊盘如钻孔应特殊标注。
五、用填充块画焊盘
用填充块画焊盘在设计线路时能够通过DRC检查，但对于加工是不行的，因此类焊盘不能直接生成阻焊数据，在上阻焊剂时，该填充块区域将被阻焊剂覆盖，导致器件焊装困难。
六、电地层又是花焊盘又是连线
因为设计成花焊盘方式的电源，地层与实际印制板上的图像是相反的，所有的连线都是隔离线，这一点设计者应非常清楚。这里顺便说一下，画几组电源或几种地的隔离线时应小心，不能留下缺口，使两组电源短路，也不能造成该连接的区域封锁(使一组电源被分开)。
七、加工层次定义不明确
1、单面板设计在TOP层，如不加说明正反做，也许制出来的板子装上器件而不好焊接。
2、例如一个四层板设计时采用TOP mid1、mid2 bottom四层，但加工时不是按这样的顺序放置，这就要求说明。
八、设计中的填充块太多或填充块用极细的线填充
1、产生光绘数据有丢失的现象，光绘数据不完全。
2、因填充块在光绘数据处理时是用线一条一条去画的，因此产生的光绘数据量相当大，增加了数据处理的难度。
九、表面贴装器件焊盘太短
这是对通断测试而言的，对于太密的表面贴装器件，其两脚之间的间距相当小，焊盘也相当细，安装测试针，必须上下(左右)交错位置，如焊盘设计的太短，虽然不影响器件安装，但会使测试针错不开位。
十、大面积网格的间距太小
组成大面积网格线同线之间的边缘太小(小于0.3mm)，在印制板制造过程中，图转工序在显完影之后容易产生很多碎膜附着在板子上，造成断线。
十一、大面积铜箔距外框的距离太近
大面积铜箔距外框应至少保证0.2mm以上的间距，因在铣外形时如铣到铜箔上容易造成铜箔起翘及由其引起的阻焊剂脱落问题。
十二、外形边框设计的不明确
有的客户在Keep layer、Board layer、Top over layer等都设计了外形线且这些外形线不重合，造成pcb生产厂家很难判断以哪条外形线为准。
十三、图形设计不均匀
在进行图形电镀时造成镀层不均匀，影响质量。
十四、异型孔太短
异形孔的长/宽应≥2：1，宽度应>1.0mm，否则，钻床在加工异型孔时极易断钻，造成加工困难，增加成本。
美国国家半导体推出单芯片音频功率放大器
sexpjmic 发表于 2008-10-23 12:04:53
近日，美国国家半导体公司宣布推出业界首款高性能单芯片功率放大器，该放大器主要适用于汽车警报及报警信号放大系统。 该款型号为LM48100Q的功率放大器可将汽车警报系统的音频信号放大，从而向驾驶人员发出警报，包括信号转变、倒车及可能撞车等。
该款LM48100Q Boomer音频功率放大器完全符合AEC-Q100 第2级标准的规定，可在摄氏-40度至摄氏105度的温度范围内进行操作。 与业界同类产品不同，此款单声道的1.3W放大器具有以下特点，可以确保扬声器及放大器在任何时刻顺利运转。
这些特点包括：
1.当故障出现时，利用漏极开路“故障”输出显示
2.设有全面的输出短路及过热保护功能，以免系统因故障受损
LM48100Q芯片设有两个音频输入，二者都可与芯片输出混合并进行多路切转操作，其中每一通道都各有独立的32级音量控制。 此外，此款芯片若以5V电压操作，其静态电流可低至6mA，因此，美国国家半导体将其归入PowerWise 高能源效率产品系列。此款芯片是领先业界的芯片，目前的芯片解密，芯片设计，芯片反向设计等手段对它不起作用。保证了芯片的正品性。
主要技术规格及特性-- LM48100Q 音频功率放大器，作为一款单电源、单声道、桥接负载(BTL)放大器，LM48100Q芯片可以利用I2C兼容接口控制音量。 该款芯片内置可感测负载情况的全面输出故障检测系统，一旦出现短路，可立即保护芯片，也可检测开路状况。 仅需一个5V的电源供应，LM48100Q芯片可以连续输出1.3W的功率，驱动8-ohm负载，总谐波失真及噪声低于1%。
LM48100Q芯片可以灵活选用3V至5.5V的供电电压操作，若输入噪声为1kHz，其电源抑制比(PSRR)可达74dB，因此无需额外调整电源供应，便可在噪声较高的环境下进行操作。 该款芯片设有低功率的停机模式，可将供电电流降至0.01uA。 此外，该款放大器设有先进的开关/切换噪声抑制电路，因此可滤除开/关及停机时产生的噪声。LM48100Q芯片采用14引脚TSSOP封装，采购以1,000颗为单位，单颗价为1.50美元，已有批量供货。
首款CMMB车载电视 注重产品创新
sexpjmic 发表于 2008-10-23 12:03:16
CMMB标准是一个由国家广播电视总局正式颁布的移动多媒体广播。这项采用自主研发的移动多媒体广播电视技术，主要面向小屏幕手持式终端设备，如手机、GPS、USB接收棒、独立接收机等，提供数字广播电视节目、综合信息和紧急广播服务。CMMB可以通过卫星和地面网络接受信息，并支持全国漫游。
2008年，德尔福中国科技研发中心成功开发出国内首款CMMB车载电视，使乘客可以在汽车内同步收看中国移动多媒体电视节目。此款CMMB车载电视虽然没有采用最新的电视芯片，但其较高的性能，造型设计，组装技术的改进，是的此款车载电视倍受欢迎。目前，中央电视台一套、三套、五套、九套、新闻频道等7套电视节目已通过中国移动多媒体电视网发送。 在当代芯片解密，芯片设计，芯片反向设计技术相当成熟，针对消费电子市场，我们除了注重芯片创新，也应该注重产品设计创新。
即使在车辆高速行驶时，CMMB车载电视接收器也能稳定接收电视信号。CMMB信号接收覆盖地域广，并且可以通过卫星传输覆盖全国范围。在奥运会期间，广电总局已经实验性地在北京、天津、上海、重庆、昆明、青岛、武汉等全国37个城市通过CMMB信号发送电视节目。
德尔福早在2006年标准制订时就已经看好其在中国的发展潜力，予以高度关注，消化标准，并为设计研发做准备。德尔福是唯一一家积极参与CMMB技术研发工作组的汽车企业。
德尔福电子与安全事业部亚太区总裁及娱乐及通讯产品业务部全球总裁KenErickson指出：“德尔福在车载通讯接收装置方面具有世界领先的技术优势和行业经验，我们非常高兴德尔福的研发团队充分利用了德尔福在车载通讯接收装置方面的优势，结合对本地市场和客户需求的充分了解，为中国市场研发适合本地市场的产品。”
“目前，德尔福是国内汽车行业中唯一开发出CMMB车载电视的公司。”德尔福娱乐及通讯产品业务部亚太区总经理CharlesGoad介绍说：这款产品是专门为满足中国移动多媒体广播标准开发的。我们非常高兴能够为消费者提供更多选择去满足他们日益增多的车内娱乐需求。”
德尔福已经在中国移动多媒体广播电视平台上顺利完成产品技术开发。这款产品有望在2010年在中国市场正式上市。
DDR2严重跌价，DRAM厂产能转向DDR3
sexpjmic 发表于 2008-10-16 15:28:16
2007与2008年对DRAM产业而言是艰难的两年，市场供过于求与DRAM厂的大幅扩产导致DDR2颗粒价格严重下跌，再加上第四季的PC销售成绩不如预期，使得DRAM颗粒库存水位攀升，价格更是频频破底。
根据集邦科技(DRAMeXchange)的数据，10月7日收盘价格DDR2 1Gb eTT的现货报价为1.15美元，而DDR2 667 1Gb落在1.19美元间，尽管DDR2目前价格已远低变动成本，但对于DRAM厂而言，DDR3的开发仍是下一场战争的必要关键。DDR2投向市场短短几年，已经没有技术门槛，普通的芯片解密手段，都能将其芯片解密，进行量产，DDR3仍然有着较高的技术门槛，只有国际大厂才有能力生产，DRAM生产厂商，必然会将其产能转向利润较好的DDR3。
集邦针对DRAM厂商产品进程分析，发现目前生产DDR3颗粒的仍为主要的国际大厂，如三星(Samsung)、海力士(Hynix)及尔必达(Elpida)等，至于台系DRAM方面仅有华亚(Inotera)在生产。就生产比例来看，以三星和尔必达生产最为积极。
集邦分析师预计，2008年底前三星和尔必达将会有近10%的产能转向生产DDR3颗粒。在70纳米以下制程(65纳米与56纳米)也将于今年下半年陆续量产。
集邦科技统计，至2008底前为止DDR3占整体DRAM颗粒的产出量约在4%左右，以技术领导厂商三星而言，原本规划DDR3产出至年底超过其产出10%。但受到近期DDR2颗粒价格大跌的影响，厂商将会视市场状况调整DDR3的转进速度。
目前在笔记本电脑市场上，如戴尔(Dell)、索尼(Sony)、联想(Lenovo)、东芝(Toshiba)与宏碁(Acer)等已相继推出搭载DDR3内存的新机种上市，但集邦分析师认为，在巨额亏损下，将会影响DRAM厂转进DDR3的速度。
若DDR2价格仍持续低迷，则到2009年底DDR3在PC主机搭载量仅能达到30%。若DDR2价格快速反弹，将会加速DDR3转进的速度。
市场不景气 芯片业美光裁员15%重组
sexpjmic 发表于 2008-10-16 15:27:11
半导体存储器方面的公司美光(Micron)日前表示，因为半导体业务市场不景气，其将裁员15%左右，并削减其与英特尔的NAND闪存合资企业的产量，以达到公司正常运营盈利的目的。这是其半导体存储器业务重组行动的组成部分。
美光与英特尔的合资企业IM Flash Technologies(IMFT)表示，将中止在美光位于爱达荷州博伊西的工厂的200毫米生产线。此举将导致IMFT的NAND闪存月产量减少大约3.5万片200毫米晶圆。IMFT将继续在犹他州Lehi和弗吉尼亚州马纳萨斯的300毫米工厂生产NAND。
美光将减产归因于需求下滑和供应过剩导致的内存产业低迷形势。美光表示，裁员将影响到大约3,000人，将在未来两年进行。多数裁员将发生在Boise，与关闭NAND工厂有关。
IM Flash先前计划在新加坡兴建一家300毫米工厂，但它仍然处于推迟状态。美光日前表示，2009年新加坡工厂不会安装设备。
美光的此举，体现了半导体存储器的不景气，这将影响半导体芯片设计，芯片解密产业的发展。